參考消息網(wǎng)9月13日?qǐng)?bào)道 據(jù)德國(guó)《商報(bào)》網(wǎng)站9月11日?qǐng)?bào)道，英飛凌公司預(yù)計(jì)其節(jié)能芯片業(yè)務(wù)將獲得強(qiáng)勁推動(dòng)：這家德國(guó)上市公司已開發(fā)出一種工藝，能以更低成本生產(chǎn)由創(chuàng)新材料氮化鎵制成的芯片。總部位于慕尼黑的英飛凌公司周三宣布了這一消息。

　　英飛凌是全球首家在現(xiàn)有大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握氮化鎵半導(dǎo)體晶圓技術(shù)的供應(yīng)商。據(jù)該公司稱，這些晶圓上可容納的半導(dǎo)體數(shù)量是迄今常見(jiàn)晶圓的2.3倍。因此，未來(lái)這種元件的價(jià)格可能會(huì)大幅降低。對(duì)客戶來(lái)說(shuō)，用氮化鎵半導(dǎo)體替代迄今占主導(dǎo)地位的硅半導(dǎo)體將更具吸引力。

　　英飛凌希望以此在快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。約爾情報(bào)公司的專家預(yù)計(jì)，氮化鎵功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將實(shí)現(xiàn)近10倍的增長(zhǎng)：從去年的2.6億美元增至2029年的25億美元。

　　氮化鎵芯片是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的希望之一。由于人工智能的蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體正變得越來(lái)越重要。據(jù)奧姆迪亞公司的市場(chǎng)研究人員稱，氮化鎵元件可在網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)電源內(nèi)更高效地工作，從而減少數(shù)據(jù)中心的能量損耗。這降低了所謂服務(wù)器的能源需求。由此帶來(lái)的一個(gè)重要附加效應(yīng)就是計(jì)算機(jī)的冷卻需求減少。

　　但這還不是全部：利用氮化鎵芯片，制造商可以為智能手機(jī)或電動(dòng)汽車提供更緊湊、更高效的電池充電裝置。不過(guò)，到目前為止，這些元件的價(jià)格要比業(yè)界常見(jiàn)的硅芯片昂貴得多。

　　英飛凌公司首席執(zhí)行官約亨·哈內(nèi)貝克表示，氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)在于加工過(guò)程與硅非常相似。只有一個(gè)步驟存在差別，也是迄今導(dǎo)致較高成本的原因，那就是所謂的外延。就硅芯片而言，即在硅襯底材料上生長(zhǎng)晶體。而對(duì)于氮化鎵，這是一個(gè)“真正的技術(shù)挑戰(zhàn)，而且成本非常高”。

　　英飛凌希望通過(guò)新工藝長(zhǎng)期確保氮化鎵芯片的價(jià)格不會(huì)高于硅半導(dǎo)體。據(jù)稱，該技術(shù)已在位于菲拉赫工廠的試產(chǎn)線上得到驗(yàn)證。目前將根據(jù)需求擴(kuò)大產(chǎn)能。

　　幾十年來(lái)，科學(xué)家們一直在研究氮化鎵。長(zhǎng)期以來(lái)，這種材料主要用于發(fā)光二極管。由于成本較高，它在半導(dǎo)體領(lǐng)域難以超越硅。然而，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)正日益占據(jù)上風(fēng)。這種晶體結(jié)構(gòu)材料可傳導(dǎo)比硅高得多的電壓，因此電流通過(guò)器件的速度更快，這意味著電器的充電速度也更快。（編譯/焦宇）